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据日本媒体报导，光刻机巨头艾司摩尔 (ASML) 扩充副总裁 Christophe Fouquet近日暗意重庆时时彩电子游戏，半导体产业需要 2030 年代开辟数值孔径 0.75 的超高 NA EUV 光刻本事，安静半导体发展。

Christophe Fouquet 指出，自 2010 年代以来 EUV 本事越来越老到，半导体制程微缩至 2020 年前后三年，以跨越 50% 幅度前进，但这一速率可能会在 2030 年代放缓不敷使用。

故而，ASML霸术年底前发表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 微影光刻诞生 (原型制作)，2025 年量产出货。2025 年运行，客户就能从数值孔径为 0.33 传统 EUV 多重图案化，切换到数值孔径为 0.55 High-NA EUV 单一图案化，裁汰制程本钱，擢升产量。

High-NA EUV诞生预估会有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、好意思光，可最早使用诞生。

据先容，柯林研发、科磊、HMI 和 JSR 及东京电子等正与 ASML 息争，开辟 High-NA EUV 材料与特用化学品。

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据了解，现时EUV光刻机价钱为每套3亿好意思元，因此可瞻望，当年High-NA EUV 价钱也将颠倒兴盛。